一、IGBT 的识别1.IGBT 的构成和特点绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)由场效应管和大功率双极型三极管构成,IGBT 集场效应管的优点与大功率双极型三极管的大电流低导通电阻特性于一体,是极佳的高速高压半导体功
IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。