虽然说 BJT 和 MOS 管是最流行和最常见的元器件，但是在非常高电流的应用中有限制，这个时候 IGBT 就派上用场了。你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别:简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。
我们家中插座里的市电交流电电压是220V，而薄如纸张的IGBT芯片能承受的电压最高可达6500V。我们一般家庭里家用电器全部开启最大电流也不会超过30A，而一颗指甲盖大小的IGBT芯片就能流过约200A的电流!
该内容转载自攻城狮原创之设计分享晶体管（GTR） 优点：通流能力强；缺点：开关速度慢，驱动功率大，驱动电路复杂。电力MOSFET 优点：电压驱动型，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，驱动电路功率小，电路简单。缺点：通流能力不如GTR。
根据乘联会数据，2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%，并且2022年6月29日欧盟对外宣布，欧盟27个成员国已经初步达成一致，欧洲将于2035年禁售燃油车。市场越来越景气，同时国内近期新发布的新能源车型也百花齐放。
