光芯片是实现光转电、电转光、分路、衰减、合分波等基础光通信功能的芯片，是光器件和光模块的核心。高速光芯片的生产包含 280 多道工序，涉及外延生长、光刻、刻蚀等精密加工，比中低速率激光器多出 50~70 道，尤其外延环节对设计及生产工艺的要求极高，外延环节需要精确控制材料厚度、比例和电学掺杂，每层量子阱的厚度精度误差需小于 0.2nm，当前国内厂商与海外头部厂商的主要差距所在。
