中新经纬8月7日电 据路透社7日报道，消息人士称，三星电子8层HBM3E芯片已通过英伟达测试。三位了解结果的消息人士称，该公司正在对其人工智能(AI)处理器进行测试。该报道指出，三星电子一直在努力追赶本土竞争对手SK海力士，这项资格为这家全球最大内存芯片制造商扫清了一个重大障碍。
新华社北京5月24日电 路透社23日报道，韩国三星电子公司最新高带宽存储(HBM)芯片尚未通过美国英伟达公司针对人工智能处理器的检测，主要问题关联芯片发热和能耗。三星电子则称，所谓芯片因发热和能耗问题未能过检说法“不实”。
【三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试】财联社8月7日电，知情人士称，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。
【三星否认8层HBM3E通过英伟达测试】《科创板日报》7日讯，今日有报道称三星的8层HBM3E产品已通过英伟达测试，三星回应称，这和事实相距甚远，“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的。
8月7日消息，据科创板日报报道，三星回应了有关其“8层HBM3E产品通过英伟达测试”的报道，明确表示这一消息“和事实相距甚远”。三星强调，无法证实与客户相关的传闻，但关于“8层HBM3E通过英伟达测试”的消息不属实。
来源：环球网 【环球网科技综合报道】8月7日，据路透社援引多位知情人士透露，三星电子第五代高带宽内存（HBM）芯片——HBM3E的8层版本已成功通过Nvidia的严格测试，标志着这款先进内存芯片将正式应用于Nvidia的人工智能（AI）处理器中。
【TrendForce：三星电子HBM3E内存已获英伟达验证 8Hi产品开始出货】《科创板日报》4日讯，TrendForce集邦咨询表示，三星电子的HBM3E内存产品已完成验证，并开始正式出货HBM3E 8Hi，主要用于H200，同时Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。
来源：环球网 【环球网科技综合报道】近日，针对英伟达（NVDA.US）测试其高带宽存储芯片（HBM）的媒体报道，三星电子（SSNLF.US）再次发表官方回应，澄清相关传闻。三星方面表示，测试工作正在“按计划”顺利进行，并与各客户保持密切合作，以优化产品性能。
韩国媒体NewDaily报道称，三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试，三星将很快就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。三星电子股价7月4日上涨3.6%，达到4月12日以来的最高点。SK海力士股价下跌4.7%，创6月24日以来最大跌幅。
财联社11月1日讯（编辑 赵昊）三星电子高管在财报电话会上提到，公司在向英伟达供应人工智能（AI）内存芯片方面取得进展。当地时间周四（10月31日），三星电子公布财报显示，公司芯片部门第三季度实现营业利润3.9万亿韩元，远低于上一季度的6.45万亿韩元，环比大降近40%。
财联社资讯获悉，行业媒体报道，供应链透露，已接获三星通知，其高频宽存储器（HBM）产品HBM3e通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货，并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，“要赶紧备货（DRAM）”，料将引爆DRAM涨价潮重头戏，南亚
每经AI快讯，三星电子股价一度上涨3.6%，至4月12日以来最高。此前当地媒体称，三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试，三星将很快就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。随后，有外媒报道，三星否认有关其HBM3e芯片通过主要客户测试的报道。
每经记者：杨建 每经编辑：彭水萍（一）重要市场新闻1、美股三大指数集体收跌，道指跌533点，跌幅1.29%，标普500指数跌0.78%，纳指跌0.7%。大型科技股多数下跌，亚马逊、苹果跌超2%，谷歌跌超1%，奈飞、微软小幅下跌；META涨超3%，英伟达涨超2%，特斯拉小幅上涨。
