近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关注的问题，以碳化硅为首的第三代半导体材料在这一趋势下逐渐从科研走向产业化，并成为替代部分硅基功率器件的明确趋势。
2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳市宝安区启用。该基地由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）建设运营，预计今年衬底和外延产能达25万片，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”，助力广东打造国家集成电路产业发展“第三极”。
21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道虽然不同细分产业有差异化表现，但整体看，2023年是半导体市场承压和库存整理的年份。但其中也有明显逆势而上的产业——碳化硅（SiC）市场。作为新兴化合物半导体中的一类，碳化硅市场由于特斯拉的率先应用，正加速在新能源汽车中验证上车。
21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道不同于发展相对成熟、有明确周期特征的硅芯片，被称为“第三代半导体”之一的碳化硅（SiC）芯片市场正处在发展前期，因此即便2023年是半导体行业下行周期，围绕该领域的相关公司都有明显产品放量和技术竞速的表现。
近日，天域半导体向港交所递交IPO申请，中信证券为其独家保荐人。招股书显示，成立于2009年的天域半导体是中国首批实现4英寸及6英寸碳化硅（第三代半导体材料之一）外延片量产的公司之一，以及中国首批拥有量产8英寸碳化硅外延片能力的公司之一。
功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为电力电子系统的心脏，是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅（Si）基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，可更好满足空间电源系统高能效、小型化和轻量化需求。
证券时报记者 张淑贤走进晶升股份展厅，几台形状不一的设备映入眼帘，或酷似黑色柜子，或形似圆柱体，这均是不同类型的碳化硅晶体生长设备。将碳化硅粉料、籽晶等原辅料填入设备，设置相应的运行配方，经过一周左右高温、低压的锤炼，这些设备里将长出单晶碳化硅锭。
当前，飞速发展的碳化硅市场一方面出现了降价竞争态势，另一方面新的市场应用也在次第出现。二级市场预期也有所变化。大约一年前的2023年7月，全球碳化硅材料巨头Wolfspeed股价还在70美元/股左右，至今已回落至23美元/股左右。
新华社 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。
