三款新本的屏幕都支持144Hz高刷新率，其中TUF506IV-AS76还搭载了RTX2060显卡、1TB NVMe SSD、16GB DDR4-3200，TUF506IV-ES74则配备了GTX 1660 Ti、512GB NVMe SSD、16GB DDR4-2667，TUF7
《长江存储：芯片国产化的璀璨之星》在全球科技竞争的舞台上，芯片一直是各国角逐的关键领域。而如今，长江存储的崛起，犹如一颗耀眼的新星，照亮了中国芯片国产化的道路，让国外为之破大防。长期以来，我国在芯片领域面临着诸多挑战，高度依赖进口的局面让我们在科技发展的道路上时常受制于人。
长江存储自2016 年投资建厂后，于 2018 年投产 32 层 3D NAND 闪存，2019 年 9 月开始生产基于 Xtacking 架构的 64 层 3D NAND 闪存，现在再次发布 128 层 3D NAND 闪存，基本与国际厂商保持了同步。
▲长江存储 X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND3D NAND即三维闪存技术。Xtacking® 2.0 进一步释放闪存潜能得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都
记者| 彭新编辑 | 国产存储芯片迎来重要技术节点。长江存储是紫光集团斥巨资在NAND闪存领域寻求突破的重要存储器制造项目，是我国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，主要业务为3D NAND闪存设计制造。
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking®2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态
2016年，清华紫光成立了长江存储，攻克闪存芯片，长江存储最大的优势就是得到了国家队的支持，2017年2月，中科院微电子所的网页上发布了这样一条消息，国产32层3D NAND FLASH芯片取得突破性进展，通过电学特性等各项测试。
最近，加拿大半导体和微电子行业分析机构TechInsights，就又发现了一个中国企业的巨大成就:中国长江存储在市场上率先推出了首款200层以上的3D NAND闪存芯片，成功反超韩国三星电子、SK海力士以及美国镁光等主要竞争对手，在技术上成为这个半导体细分领域的全球领导者。
最近，在第五届世界互联网大会期间，紫光集团展示了内置中国首颗存储芯与紫光安全芯片的安全移动存储产品——紫光新一代隐式指纹安全U盘。该产品由紫光集团旗下紫光存储联合长江存储、紫光国微共同推出。你认为这个“突破口”选对了吗？
