在阅读此文之前,麻烦您点击一下“关注”,既方便您进行讨论和分享,又能给您带来不一样的参与感,感谢您的支持。文|科技新知分享家编辑|科技新知分享家导语在科技飞速发展的今天,光刻技术的进步与否直接影响着半导体行业的未来。
近日,哈工大航天学院赵永蓬教授带领的团队,凭借“放电等离子体极紫外光刻光源”项目,成功攻克了13.5纳米极紫外光源技术,在黑龙江省高校与科研院所职工科技创新成果转化大赛中荣获一等奖,这一重大突破犹如一声惊雷,震撼了全球半导体领域。