我们知道，MOS管是电压驱动型器件。当G极大于S极至少一个Vth时，MOS管才会导通。一般不是低压MOS的情况下，datasheet的驱动电压用10V或者12V，在上图电路中我们将驱动电压设为G-S= 12-8.42=3.58V，3.5V同样能实现导通，但是导通电阻会很大，导致MOS管发热。
关于三极管简单讲解一下三极管，如果三极管工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍数β=100，三极管完全导通。如下图，是一个NPN三极管。
N沟道MOSFET的工作原理是什么？平面MOSFET的结构和操作对于如下所示的平面MOSFET：1. 在漏极与源极之间施加正极性电压（漏极-源极电压：VDS）2. 在栅极与源极之间施加正极性电压（栅极-源极电压：VGS）3.
在使用MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
MOS管是一种常见的半导体器件，它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。根据MOS管的内部结构，在耗尽型 MOS管 中，栅极 、漏极 和源极 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
