近年来,中国芯片技术领域崛起备受全球关注,哈工大成功突破13.5纳米极紫外光源技术(EUV)意义重大。长期以来,西方在极紫外光刻机领域技术垄断,中国的这一突破冲击了其垄断秩序,彰显了强大的自主创新能力。
近日,哈工大航天学院赵永蓬教授带领的团队,凭借“放电等离子体极紫外光刻光源”项目,成功攻克了13.5纳米极紫外光源技术,在黑龙江省高校与科研院所职工科技创新成果转化大赛中荣获一等奖,这一重大突破犹如一声惊雷,震撼了全球半导体领域。