在在 2021 年 IEEE 国际电子设备会议上，英特尔公布了多芯片混合封装互联密度提高 10 倍、晶体管密度提升 30%-50%、新的电源和存储器技术以及量子计算芯片技术等等。英特尔于 2021 年 7 月展现了 RibbonFET 新型晶体管架构，作为 FinFET 的替代。
之前做过一期物体阵列式三维立体图，不知道为什么销声匿迹了，很多朋友找不到了，今天重新再发一次，有的图以前发过，有的第一次发，以前看过的朋友就当温故知新吧！随机点式立体图标志性的三维立体图作为今天的开篇，虽然发过几回了，还是觉得经典应该永流传。
该研究成果将推动IGZO晶体管在高密度DRAM领域的应用，并以题为“Novel Vertical Channel-All-Around IGZO FETs for 2T0C DRAM with High Density beyond 4F2 by Monolithic Stacking”入选IEDM 2021，同时获选Highlight Paper和Top Ranked Student Paper。
