周末，美国又限制出口了好几样关键技术。Planar FET就是传统平面型MOSFET 28nm以上的工艺的晶体管大部分都长这样，FinFET叫鳍式栅晶体管，和平面型不同之处是它立体结构，20nm以下工艺比如16/14nm，10nm，7nm，5nm一般都用这个，因此20nm工艺是平面型和立体型的分界点，一般产业界也认为是成熟和先进制程的分界点。
消息源自美国protocol网站的报道“The US is ready to block China’s access to advanced chip design software”，内容是美国准备对用于设计半导体的特定类型EDA工具实施新的出口限制，旨在为了减缓中国制造先进芯片的能力。
钛媒体App 8月14日消息，美国商务部工业和安全局宣布，从今天起将金刚石、氧化镓两种超宽带隙基板半导体材料，设计GAAFET架构的先进芯片EDA软件工具，以及用于燃气涡轮发动机的压力增益燃烧技术，列入商业管制清单，对这些技术出口进行管控。
今天上午，三星电子发布公告，称该公司已开始量产基于GAA晶体管结构的3nm芯片。目前，全球有意愿且有条件发展3nm芯片制造的厂商仅剩台积电、三星、英特尔三家，因为他们在购买极紫外光刻机时并不像中国大陆公司一样受到限制。
据一份内部备忘录显示，三星本周推出了一项新政策，要求员工不得在工作场所使用OpenAI的ChatGPT和谷歌Bard等生成式人工智能。据三星称，4月时，该公司的一名工程师将内部源代码上传到ChatGPT后，意外泄漏了内部源代码。
