一直以来,Jim(剑芒)博士都在拼命呼吁打击华为为首的中国科技自研创新,他给出的理由非常的可笑,而且无知!他的理由是:自研芯片,从科技发展的角度来说,本身就是一个错误的概念!按他这个观点,美国更多自研芯片,岂不是错上加错?你以为这是他可笑无知的极限?那你就大错特错了!
互联网时代,信息的快速传播为我们打开了了解世界、交流思想的窗口,同时也为各种隐蔽的操控手段提供了滋生的土壤,近年来,一种披着“客观”外衣,实则暗藏偏见的“捧杀”行为在网络空间悄然蔓延,对公众认知和社会共识造成严重危害,他们以看似理性的分析、中立的立场,实则通过选择性呈现信息、刻意放大问题、使用引导性语言等方式,潜移默化地影响公众判断,达到其不可告人的目的。
非常高兴看到@Jim博士 回应我的质疑,虽然你我都不是EUV光刻机行业从业者(至少我不是),但是咱们作为科技工作者,科技自媒体人,相信咱们对国产EUV研发路径的讨论,比挖资本家祖坟式的“考古”来的更有积极意义。好,客套话不多说,向读者展示博士的回复,然后再阐述自己的观点。
本文内容来自于网络,若与实际情况不相符或存在侵权行为,请联系删除。本文仅在今日头条首发,请勿搬运。然而,最近美国的做法更加露骨,直接宣扬“中国威胁论”,财政部长耶伦明确表示,中国的科技发展对美国构成威胁,因此美国必须采取措施打压中国,甚至提出中国应该放弃高科技研发,以重建中美关系。
表面等离子体 光刻的原理是当一束光射向介质 – 金属表面时, 金属表面的自由电子发生运动并产生表面感应电荷. 这些感应电荷在外加场的驱动下在表面不断振荡, 产生特殊的电磁波 , 随着离开物质表面距离的增大迅速衰减. 表面等离子体波的波长被极大地压缩,而压缩的比例取决于材料的电磁性质等参数. 因此, 利用表面等离子体波进行光刻时, 在极短的距离内 不受传统衍射极限的限制.
看到非官方消息,华为和中科院合作,研发出了8nm光刻机。下面分析消息的可信度和技术可能性。这种X射线光刻机的技术路线与ASML现有光刻机完全不同,如果相关技术问题能被解决,那么中国可以直接跨入下一代光刻机领域,光刻机将不再是制程提升的主要限制因素。