每经编辑：肖芮冬3月5日，沪指低开，盘面整体下挫。半导体材料ETF（562590）昨日盘中震荡，但尾盘倔强收红，实现了三连阳，体现指数韧性，截至9:51，半导体材料ETF（562590）盘中微跌，近10日反弹超12%，指数弹性足。
2月14日，半导体板块逆势获得资金加仓。截至收盘，半导体材料ETF（562590）收平，尾盘溢价走阔，持仓股至纯科技涨超5%，金海通、北方华创涨超2%。资金面上，半导体材料ETF（562590）近5个交易日3度获得资金流入，累计流入超1700万元。
11月20日，半导体盘中跌幅收窄，截至10:08，半导体材料ETF（562590）跌0.67%，盘中频现溢价，整体处于震荡上行态势，持仓股有研新材涨停，康强电子跟涨，中晶科技、芯源微、长川科技等跌超2%。
财联社资讯获悉，据行业媒体报道，得益于高通、联发科的强劲带动，加上NVIDIA、AMD、Intel三巨头，台积电明年上半年的3nm工艺产能利用率将达到100％，也就是持续满负荷运行。AI芯片的推动下，台积电5nm更加火热，产能利用率更是将达到101％，即超负荷运转。
美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量，从而推动人工智能（AI）硬件发展更加高效。通过这种新方法，团队成功制造出了多层芯片，其中高质量半导体材料层交替生长，直接叠加在一起。
