从图中可以读出该电容的标志为“0.3uF±5%800V 50kHz ” ，其中，“0.3uF土5%” 表 示电容量为0.3 uF， “800V 50kHz” 表示工作条件为800 V交流电50kHz，“ 1200V DC” 表示额定直流电压为1200 V。
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别:简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。
虽然说 BJT 和 MOS 管是最流行和最常见的元器件，但是在非常高电流的应用中有限制，这个时候 IGBT 就派上用场了。你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。
我们家中插座里的市电交流电电压是220V，而薄如纸张的IGBT芯片能承受的电压最高可达6500V。我们一般家庭里家用电器全部开启最大电流也不会超过30A，而一颗指甲盖大小的IGBT芯片就能流过约200A的电流!
该内容转载自攻城狮原创之设计分享晶体管（GTR） 优点：通流能力强；缺点：开关速度慢，驱动功率大，驱动电路复杂。电力MOSFET 优点：电压驱动型，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，驱动电路功率小，电路简单。缺点：通流能力不如GTR。
整流滤波电路——220-330V 2UF和5UF电容和整流桥。同步电路——IGBT的C极峰值电压最低时导通，从而避免IGBT损坏，通过大功率色环电阻接在发热盘两端，对两端电压实时监测比较，比较结果送往控制电路，该电路色环电阻易变值，通常表现通电不加热或不停检锅。
市场上的电磁炉种类太多，作为家电测评师，我必须提醒下大家，市场上存在很多盲目堆砌参数的产品，不仅无法提升加热效率，而且还会将普通民用电磁炉存在的安全隐患放大，存在温度忽高忽低、火力时大时小，而且超80%的用户反馈火候很难掌控，而且此类产品防水防油性能差，还存在辐射超标等危害。
