我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
来源：【宁夏日报】新华社北京2月28日电 我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
我国在“膜上存光”时长破世界纪录。我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
我国在“膜上存光”时长破世界纪录 我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。 为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
新华社北京2月28日电（记者张漫子）我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
我国在“膜上存光”时长破世界纪录我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
我国在“膜上存光”时长破世界纪录。我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。为什么要在薄膜上“存储光”？“光的存储一直是世界难题。
北京量子信息科学研究院与多家单位合作，基于高硬度的单晶碳化硅薄膜材料，成功研制出多模态长寿命的光声量子存储器，在模式稳定性以及信息存储时长等关键性能上刷新了国际纪录。日前，相关研究成果在《自然-通讯》上发表。
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