在这两个区域中，mos管处于导通状态，但差异在线性区域，沟道是连续的，漏极电流与沟道电阻成正比。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作，即它们要么处于 ON 状态，要么处于 OFF 状态。
MOS管是一种常见的半导体器件，它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。根据MOS管的内部结构，在耗尽型 MOS管 中，栅极 、漏极 和源极 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
这个电路看着比较简单，但是呢，在实际应用中，稍不注意的话，可能会出现下面的几个问题:1、PMOS开关开启的一瞬间，前级电源电压跌落，或者直接被拉死2、PMOS开关开启的一瞬间，MOS管冲击电流太大，MOS管损坏3、PMOS开关由开启变为断开时，输出端Vout电压先降低，后上升，然后再下降，即下电波形出现回沟。
SOA是指安全工作区，由一系列限制条件组成的一个漏源极电压VDS和漏极电流ID的二维坐标图，开关器件正常工作时的电压和电流都不应该超过该限定范围。它是恒定的，因为这条 SOA 功率限制线上的每个点都承载相同的恒定功率，由公式 P = IV 表示。
