中国下定决心打造光刻机,2025年将实现芯片70%自给。早在前几年,中国就立下了一个宏大的目标,那就是在2020年之前实现90nm-32nm设备50%的国产化,到2025年,国产芯片的自给率需要达到70%,因此,研发光刻机、刻蚀机等设备是我国的首要目标。
然而,随着2024年9月工信部发布的一份文件,将国产光刻机再次推入了公众视野,特别是其中提到的氟化氩光刻机,其技术指标显示分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm,这一消息无疑为国产光刻机的发展注入了一剂强心针。
专利申请总数截至 2019 年 6 月就有 3034 项,授权的也有 1654 项。虽说和 ASML 比,在制程精度和研发时间上还有差距,人家 ASML 都能生产 5nm 及以下制程节点的 EUV 光刻机了,上海微电子目前才做到 90nm 芯片量产。
中国光刻机在近年来取得了显著的进展,2022年中国光刻机市场规模为147.82亿元,2023年中国光刻机产量达124台,市场规模已突破160.87亿元。市场现状需求与供给:国内对光刻机的需求大于国产供给,2022年产量为95台,而需求量约为652台。
#国产90纳米光刻机可以干什么# #头条文章养成计划#90纳米芯片生产工艺大约是在2003至2005年间实现商业化的一个芯片制造节点,也就是说在那个时间点,90纳米是最高级的芯片制造手段,只有最先进的芯片才会用90纳米制造。