6月12日，安森美宣布，最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。据介绍，利用QDual3模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统。
贞光科技从车规微处理器MCU、功率器件、电源管理芯片、信号处理芯片、存储芯片、二、三极管、光耦、晶振、阻容感等汽车电子元器件为客户提供全产业链供应解决方案！IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。
