在摩尔定律的推动下，集成电路芯片集成度不断提高，光刻胶技术也不断发展，经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248 nm光刻胶、193 nm光刻胶等一系列技术平台，从技术上经历了环化橡胶体系、酚醛树脂-重氮奈醌体系及化学放大体系。
最近国内光刻胶领域可谓是好事连连。市场方面，南大光电、彤程新材实现了ArF光刻胶的量产，不少相关公司股价也是接连上涨。技术上，华中科技大学与湖北九峰山实验室共同研究的新型光刻胶技术成功为我国EUV光刻胶的开发奠定了技术基础，这也间接推动了我国芯片产业的发展。
➢ 以芯片制造为例，在晶圆清洗、热氧化后，需通过光刻和刻蚀工艺，将设计好的电路图案转移到晶圆表面上，实现电路布图，之后再进行离子注入、退火、扩散、气相沉积、化学机械研磨等流程，最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。
