现在呢，这一淘汰美国芯片的决定，很可能意味着咱国产的EUV光刻机技术有了突破性进展. 像上海微电子在EUV光源方面有了新专利，华卓精科和长春光机所在超高精度双工件台领域也取得了大突破，长春光机所的光刻机物镜系统精度都达到32纳米了，还在继续提高呢.
在科技竞争日益激烈的今天，芯片产业作为信息技术的核心，一直是各国科技角力的焦点。近日，哈工大樊继壮教授带领的研发团队成功制备出了13.5nm的EUV光源，这一技术突破不仅打破了美西方在EUV光刻机领域的垄断地位，更为国产芯片产业链的自主化进程注入了强劲动力。
全新国产光刻机曝光，套刻≤8纳米，到底是个什么水平?说实话，和国际领先水平还是有差距的，但先别急着丧气，因为这并不代表中国最先进的水平，如果把最近发生的事情都联系起来，你就发现这次更像是对美国近期加强芯片制裁手段的回应，真的是会让美国很破防的那种，更重要的这次公布的光刻机还会进一步提升我国汽车、家电等工业品的国际竞争力。
