来源:科技日报记者6日从中国科学技术大学获悉，该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构，构筑载流子调制新方法，实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子学》。
广东省人民政府办公厅关于印发广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）的通知粤办函〔2024〕289号各地级以上市人民政府，省政府各部门、各直属机构：经省人民政府同意，现将《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》印发给你们，请结合
光芯片是实现光转电、电转光、分路、衰减、合分波等基础光通信功能的芯片，是光器件和光模块的核心。高速光芯片的生产包含 280 多道工序，涉及外延生长、光刻、刻蚀等精密加工，比中低速率激光器多出 50~70 道，尤其外延环节对设计及生产工艺的要求极高，外延环节需要精确控制材料厚度、比例和电学掺杂，每层量子阱的厚度精度误差需小于 0.2nm，当前国内厂商与海外头部厂商的主要差距所在。
光通信，即光纤通信，是以光纤作为传输介质，以光波作为信息载体进行信息传输的通信方式。目前，光通信已经成为世界最主流的信息传输方式，广泛应用于电信网络、光纤宽带、数据中心等通信领域，并逐步拓展到消费电子、汽车电子、医疗和工业等领域。
近年来，我国科技水平不断进步，科技自主化水平越来越高，但是在芯片技术领域，与国外仍存在一定差距。然而，在芯片领域中的光电子芯片领域，由于技术更为前沿，大部分研究成果仍处在实验室阶段，我国在技术路线和工艺研发上不存在明显的落后，并且已经在一些细分领域走向前列。
长沙晚报掌上长沙2月20日讯 据中国电子科技集团有限公司消息 近日，中国电科表示，该公司产业基础研究院自主研发的800G高速光通信芯片年供货超千万只。光芯片是一种利用光电转换效应制成的光电子器件，广泛应用于光通信、光计算等领域。
光芯片发展呈现出以下最新趋势:技术研发方面。- 高速率芯片研发推进:三安光电的400G光芯片产品处于推广阶段，800G光芯片产品处于研发阶段，随着数据中心、AI等领域对高速数据传输需求的增长，更高速率的光芯片研发成为重要方向。
