其中γ是常数,其取决于迁移率平衡与QD激子淬灭,q是QD层内量子效率,量子点的内量子效率通常大于90%,τst是单线态与三线态比值,量子点发光主要为激子单线态发光,所以这里的比值约等于1,ηcoupling 是指耦合出光效率,可以通过提高光栅结构及器件结构来调整,所以QLED器件的效率提升,特别是低压下效率的提升,主要是通过电平衡的调整。