半导体芯片减薄工艺

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美迪凯：晶圆背部减薄及切割工艺实现12英寸晶圆TTV＜2.5μm、切割后崩边＜10μm
美迪凯3月27日在互动平台表示，公司晶圆背部减薄及切割工艺，实现12英寸晶圆TTV＜2.5μm、切割后崩边＜10μm及芯片表面的高标准外观要求。
界面快讯
半导体设备国产替代加速，长盈精密子公司芯片减薄设备行业领先
随着国产半导体大力支持进程的研发投入，目前对标相关替代设备的国产设备进度较好，潜在供应链风险势必加速国内替代与验证速度。
中国财富网
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德邦科技：减薄膜和切割膜应用于晶圆的减薄和切割工艺，目前已稳定批量出货
德邦科技2月1日在互动平台上称，公司应用于半导体行业的产品主要包括： 1、UV膜系列，包括减薄膜和切割膜。应用于晶圆的减薄和切割工艺，目前已经稳定批量出货； 2、固晶系列，包括固晶胶和固晶膜(DAF/CDAF)。
界面快讯
晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介
背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。
宽禁带联盟
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半导体行业专题研究报告：半导体切磨抛装备材料的国产化趋势
公司归母净利润与收入保持同步增长，由 2017 财年的 371.7 亿日元增长至 2021 财年的 662.1 亿日元，4 年 CAGR 15.5%。
未来智库
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从无到有，做好一颗芯片要几步？
前不久，一篇《一个亿的融资在一家芯片初创公司可以烧多久》文章刷屏了众多人的朋友圈，文中有这么一句话，“一个亿烧完的时候，其实很多公司连芯片的影儿都没见着，有模有样的demo可能都没搞出来。”
半导体行业观察
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