大概率国产euv已经出来了

资讯

求锤得锤：中国主动淘汰美国芯片，或预示国产EUV取得突破性进展
最近，美国对中国的芯片禁售政策再度升级，很多人开始热议:这是不是代表着中国半导体产业又一次被“卡脖子”了?
江湖百晓生ICM
5评论
中国主动淘汰美国芯片或预示国产EUV突破性进展
现在呢，这一淘汰美国芯片的决定，很可能意味着咱国产的EUV光刻机技术有了突破性进展. 像上海微电子在EUV光源方面有了新专利，华卓精科和长春光机所在超高精度双工件台领域也取得了大突破，长春光机所的光刻机物镜系统精度都达到32纳米了，还在继续提高呢.
灵巧星星
求锤得锤 :中国主动淘汰美国芯片或预示国产EUV突破性进展
美国人这下求锤得锤了。2021 年 10 月 27 日，据中国新闻网报道，长春光机所在光刻机物镜系统上已达成 32 纳米精度。
香之颂
50评论
国产euv光刻机是否己经成形
根据现有公开信息和产业技术现状分析，目前没有充分证据表明中国已秘密研发出与ASML同水平的EUV光刻机。
山人碎语
4评论
中美芯片崛起 : 中国主动淘汰美国芯片国产EUV迎来重大突破！
2024年末，中国监管机构放出大招，计划在2027年前让电信运营商逐步淘汰美国芯片。这一不仅让美国半导体大佬们震惊不已，更在全球科技界掀起轩然大波。
热浪驭者
1评论
国产高端EUV光刻机再曝光，技术路线与ASML完全不同
国产高端EUV光刻机的最新消息，目前在外网吵得的一片火热，很多国外的博主和媒体纷纷报道了国产高端EUV光刻机的最新进度，特别是国产高端EUV光刻机所采用的“激光诱导放电等离子体”技术路线，完全摆脱了ASML的激光等离子体技术路线。
钟小乖【亦真】
34评论
国产EUV光刻机在地平线上透射出真实成功的曙光
各位网友大家好，芊芊玉指近来发现一个令人愤怒的事情，那么请跟随芊芊玉指的脚步来看看究莧。东方大国半导体行业联盟发布国产EUV光刻机技术研发进展。
芊芊玉指
2评论
哈工大的曙光让ASML沉默，中芯国际等一台国产EUV
近日，哈尔滨工业大学在光刻机方面取得了研究新突破，他们研发出了一台13.5纳米的极紫外光源，从而标志着国内EUV光刻机的研制又更进了一步。
船长
1评论
哈工大EUV光刻机突破!新加坡学者:只要成功，芯片战就会结束!
国产EUV光刻机取得重大突破，哈工大官宣表明已经成功解决13.5纳米极紫外光源的技术。距离哈工大攻克28纳米极紫外光源技术还没过去多久，12月30日，13.5纳米的极紫外光源就已经宣告研制成功了。
谱大酱
43评论
EUV光刻机也快了，荷兰：中国的技术进步势不可挡
该目录一出，引发国内科技迷一片欢呼，其中的氟化氪光刻机和氟化氩光刻机让人浮想联翩，许多人猜测:难道中国版光刻机已经突破了美国的封锁?
芙蓉树下的山楂
94评论
国产芯片突破后，ASML正式发声，外媒：EUV光刻机尘埃落定了
华为Mate70带着麒麟9020高调亮相，性能提升约30%，吊打高通骁龙8+。这剧情，怎么跟剧本写的不一样？之前ASML和美方一口咬定，没EUV光刻机，中国芯片制造就是“瘸腿”，高端芯片更是想都别想。
……。
EUV光刻机光源实现重大突破，我国掌握7nm关键技术
因为其有可能在未来生产出8纳米以下芯片，众所周知阿斯麦的EUV光刻机用于制造7nm到5nm的芯片，若是我国也能这样做，这就标志着我国高端光刻机技术研发又更进一步。
Shadel郝

加载更多

视频

问答