随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关第十代NAND闪存技术的消息扑面而来，第十代NAND闪存的技术之争正在拉开帷幕。
【西部数据发涨价信 预期未来几季NAND芯片产品价格累计涨幅上看55%】《科创板日报》7日讯，全球第四大储存型NAND Flash供应商西部数据（WD）对客户发出涨价通知信，强调未来几季NAND芯片产品价格将呈现周期性上涨，预期累计涨幅上看55%，此波NAND芯片报价涨势锐不可挡
11月2日，手机中国注意到，《台湾经济日报》报道称，半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。
IT之家 6 月 14 日消息，根据 YouTube 频道 Max Tech 发布的最新一期视频，256GB 存储规格的 15 英寸 MacBook Air 笔记本只装备了 1 个 NAND 芯片，影响读写性能。
【SK海力士展示全球首款321层NAND芯片】《科创板日报》9日讯，在2023美国闪存峰会上，SK海力士展示了全球首款321层NAND芯片，计划从2025年上半年开始大规模生产。据悉，SK海力士是全球第一家公布超过300层NAND芯片开发进展的芯片厂商。
众所周知，从去年10月份开始，美国对中国的芯片产业就进行了一轮新的打压，并且是全面的打压。按照当时的禁令，对18纳米以下DRAM内存的生产设备，128层以上NAND闪存生产设备，以及14纳米以下逻辑芯片的生产设备全部禁售。
财联社6月11日讯（编辑 刘越）存储巨头SK海力士周四宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
