1月16日晚间,英诺赛科在港交所公告,公司及公司全资附属公司英诺赛科(苏州)半导体有限公司(统称原告)已向江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技(中国)有限公司(被告一)、英飞凌科技(无锡)有限公司(被告二)及苏州芯沃科电子科技有限公司(被告三),就202311774650.
中国网财经6月13日讯(记者 刘小菲)全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司英诺赛科计划赴港上市。近期,英诺赛科向港交所递交招股说明书。招股书提到,截至2023年12月31日,英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体基地,产能达到每月1万片晶圆。
近年来,氮化镓作为“第三代半导体”代表性材料需求崛起,行业规模快速增长,发展潜力巨大。与此同时,全球氮化镓市场的竞争也日益激烈,海外巨头通过并购手段,快速入局;国内企业也积极完善产业链,参与到市场竞争中来。
全球布局氮化镓基半导体射频器件的重要厂商有美国的 Cree、Qorvo、MACOM 和 Raytheon 等,还有德国的 Infineon,加拿大的 GaN Systems,日本的三菱电机,以及荷兰的 NXP 等。