1月16日晚间，英诺赛科在港交所公告，公司及公司全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（统称原告）已向江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三），就202311774650.
中国网财经6月13日讯(记者 刘小菲)全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司英诺赛科计划赴港上市。近期，英诺赛科向港交所递交招股说明书。招股书提到，截至2023年12月31日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体基地，产能达到每月1万片晶圆。
近年来，氮化镓作为“第三代半导体”代表性材料需求崛起，行业规模快速增长，发展潜力巨大。与此同时，全球氮化镓市场的竞争也日益激烈，海外巨头通过并购手段，快速入局；国内企业也积极完善产业链，参与到市场竞争中来。
全球布局氮化镓基半导体射频器件的重要厂商有美国的 Cree、Qorvo、MACOM 和 Raytheon 等，还有德国的 Infineon，加拿大的 GaN Systems，日本的三菱电机，以及荷兰的 NXP 等。
