我们知道，MOS管是电压驱动型器件。当G极大于S极至少一个Vth时，MOS管才会导通。一般不是低压MOS的情况下，datasheet的驱动电压用10V或者12V，在上图电路中我们将驱动电压设为G-S= 12-8.42=3.58V，3.5V同样能实现导通，但是导通电阻会很大，导致MOS管发热。
N沟道MOSFET的工作原理是什么？平面MOSFET的结构和操作对于如下所示的平面MOSFET：1. 在漏极与源极之间施加正极性电压（漏极-源极电压：VDS）2. 在栅极与源极之间施加正极性电压（栅极-源极电压：VGS）3.
MOS管是一种常见的半导体器件，它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。根据MOS管的内部结构，在耗尽型 MOS管 中，栅极 、漏极 和源极 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
在这两个区域中，mos管处于导通状态，但差异在线性区域，沟道是连续的，漏极电流与沟道电阻成正比。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作，即它们要么处于 ON 状态，要么处于 OFF 状态。
