珠海市工业和信息化局就《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案(2025—2027年)(征求意见稿)》公开征求意见,意见稿提及,重点发展8英寸、12英寸硅片,碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片;前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。
为了满足高性能、低成本的需求,第四代半导体成为关注的对象,10月11日,一家俄罗斯公司JSCRokor也宣布开发了一项生产单晶氧化镓晶圆的突破性技术,据了解此方法摆脱了对传统制造方法至关重要且昂贵材料铱的需求,这将显著降低生产成本,据估计可能降低三到七倍,目前Rokor表示正准备应用此技术投入生产。
随着2018年特斯拉采用碳化硅、2020年小米在快充上使用氮化镓开始,第三代半导体经过三四十年的发展终于获得市场认可迎来发展机遇。此后,第三代半导体在新能源车、消费电子等领域快速发展开来,并逐渐从热门场景向更多拓展场景探索。
全球布局氮化镓基半导体射频器件的重要厂商有美国的 Cree、Qorvo、MACOM 和 Raytheon 等,还有德国的 Infineon,加拿大的 GaN Systems,日本的三菱电机,以及荷兰的 NXP 等。