珠海市工业和信息化局就《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》公开征求意见，意见稿提及，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。
为了满足高性能、低成本的需求，第四代半导体成为关注的对象，10月11日，一家俄罗斯公司JSCRokor也宣布开发了一项生产单晶氧化镓晶圆的突破性技术，据了解此方法摆脱了对传统制造方法至关重要且昂贵材料铱的需求，这将显著降低生产成本，据估计可能降低三到七倍，目前Rokor表示正准备应用此技术投入生产。
随着2018年特斯拉采用碳化硅、2020年小米在快充上使用氮化镓开始，第三代半导体经过三四十年的发展终于获得市场认可迎来发展机遇。此后，第三代半导体在新能源车、消费电子等领域快速发展开来，并逐渐从热门场景向更多拓展场景探索。
全球布局氮化镓基半导体射频器件的重要厂商有美国的 Cree、Qorvo、MACOM 和 Raytheon 等，还有德国的 Infineon，加拿大的 GaN Systems，日本的三菱电机，以及荷兰的 NXP 等。
