某位ID名为“立刚科技观察”的著名大V，抛出了一个震撼言论：下一代光刻机不是什么EUV，而一定是X-ray光刻机，并且一定会是中国先做出来。所谓X-ray就是X射线，该大V说X射线的波长小于10nm，甚至是0.01nm，这样就能实现更为精细的刻写，实现更小的制程。
表面等离子体 光刻的原理是当一束光射向介质 – 金属表面时， 金属表面的自由电子发生运动并产生表面感应电荷. 这些感应电荷在外加场的驱动下在表面不断振荡， 产生特殊的电磁波 ， 随着离开物质表面距离的增大迅速衰减. 表面等离子体波的波长被极大地压缩，而压缩的比例取决于材料的电磁性质等参数. 因此， 利用表面等离子体波进行光刻时， 在极短的距离内 不受传统衍射极限的限制.
钛媒体App 5月26日消息，据当地消息，日前举行的“工业俄罗斯数字产业”会议上，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·施帕克表示，俄罗斯自己研发的首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，该设备可确保生产350nm制程工艺芯片，可应用于汽车、能源和电信等行业当中。
随后，Northrop Grumman 收购支持 EUV LLC 光源工作的 TRW，并最终将其 EUV 相关 IP 捐赠给中佛罗里达大学。尼康在 EPL 上的投入未能达到与 EUV 竞争所需的吞吐量，于 2005 年停止了 EPL 的商业化努力。
我国高精尖企业华卓精科在2021年9月发布的公告中就提到:“公司 DWS 系列光刻机双工件台可实现优于 4.5nm 的运动平均偏差，已于 2020 年 4 月和 2021 年 1 月、4 月、6 月分别 向上海微电子发货 1 台 DWS 双工件台，累计发货 4 台 DWS 双工件台;
1 光刻机是半导体核心设备，目前主流光刻机分为 i-Iine、KrF、ArF、ArFi、EUV 五大类。一般芯片在生 产中需进行 20-30 次光刻，耗时占 IC 生产环节 50%左右，占芯片生产成本的 1/3。
