MOS管是一种常见的半导体器件,它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。根据MOS管的内部结构,在耗尽型 MOS管 中,栅极 、漏极 和源极 引脚是物理连接的,而在增强模式下它们是物理分离的,这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
其中,G是栅极,S是源极,D是漏极。CMOS与非门工作原理如下:当A,B端均为高电时,VT1 PMOS,VT2 PMOS截止,VT3 NMOS,VT4 NMOS导通,Y端为低电,即A=1,B=1时,Y=0;