MOS管是一种常见的半导体器件，它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。根据MOS管的内部结构，在耗尽型 MOS管 中，栅极 、漏极 和源极 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。CMOS与非门工作原理如下:当A，B端均为高电时，VT1 PMOS，VT2 PMOS截止，VT3 NMOS，VT4 NMOS导通，Y端为低电，即A=1，B=1时，Y=0;
