在这两个区域中，mos管处于导通状态，但差异在线性区域，沟道是连续的，漏极电流与沟道电阻成正比。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作，即它们要么处于 ON 状态，要么处于 OFF 状态。
MOS管是一种常见的半导体器件，它在数字电路、模拟电路、功率电子等领域都有广泛的应用。根据MOS管的内部结构，在耗尽型 MOS管 中，栅极 、漏极 和源极 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
记得旺哥刚开始学模拟电路时，老师讲解的MOS管这一节，首先讲了什么叫MOS管，什么金属氧化物半导体场效应管，什么绝缘栅型，接着又讲了MOS管的构造，在一块参杂浓度低的半导体衬底上，用半导体光刻等，讲了一节课，最后的结果就是啥也没听懂，更别说应用。
常用在移动和物联网设备中，特别是锂电池应用的场合，是需要高精度和低噪声的模拟电路最佳选择。低压差稳压器在尺寸上更小，产生的噪声更少，且比开关模式的DC-DC转换器更容易设计，使其成为理想的稳压器放置在目标半导体元件附近。
其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。CMOS与非门工作原理如下:当A，B端均为高电时，VT1 PMOS，VT2 PMOS截止，VT3 NMOS，VT4 NMOS导通，Y端为低电，即A=1，B=1时，Y=0;
