第一个问题，MOS管作开关电路有三种情况，分别是控制低电平导通，控制高电平导通和控制负电平导通。单片机的GPIO口是可以直接驱动三极管，对于很多MOS管却不能直接驱动，需要通过三极管或者光耦来转化一下，因为单片机的常用工作电压一般为5V或者3.3V，不会超过5V，对于功率较大的MOS管，导通电压可能超过5V，这就无法满足导通条件，必须要用三极管来转换，如下图所示:上图中，单片机输出高电平时，三极管导通，集电极是低电平那么MOS管截止;
其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。CMOS与非门工作原理如下:当A，B端均为高电时，VT1 PMOS，VT2 PMOS截止，VT3 NMOS，VT4 NMOS导通，Y端为低电，即A=1，B=1时，Y=0;
电源开关选择 PMOS 的原因:因为 PMOS 是 Vgs < 0 时，D、S 之间导通，而 PMOS 的源极 经常接着是要通过的电压，比如电池的 3.7V~4.2V，这样只需栅极 的电压一定范围小于源极的电压，PMOS 就可以导通，经常使用如上图，通过一个 NMOS 下拉到地，打开 PMOS。
