在这两个区域中,mos管处于导通状态,但差异在线性区域,沟道是连续的,漏极电流与沟道电阻成正比。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作,即它们要么处于 ON 状态,要么处于 OFF 状态。
第一个问题,MOS管作开关电路有三种情况,分别是控制低电平导通,控制高电平导通和控制负电平导通。单片机的GPIO口是可以直接驱动三极管,对于很多MOS管却不能直接驱动,需要通过三极管或者光耦来转化一下,因为单片机的常用工作电压一般为5V或者3.3V,不会超过5V,对于功率较大的MOS管,导通电压可能超过5V,这就无法满足导通条件,必须要用三极管来转换,如下图所示:上图中,单片机输出高电平时,三极管导通,集电极是低电平那么MOS管截止;
N沟道MOSFET的工作原理是什么?平面MOSFET的结构和操作对于如下所示的平面MOSFET:1. 在漏极与源极之间施加正极性电压(漏极-源极电压:VDS)2. 在栅极与源极之间施加正极性电压(栅极-源极电压:VGS)3.
还有需要注意的一个点,不管哪个MOS管,它的内部都是有寄生电容的,这个制造工艺造成的,无法避免,所以选型时要考虑寄生电容越小越好,因为寄生电容越大,MOS管导通时要的能量就越大,一旦芯片IO输出能力跟不上,那么MOS管导通的速度会受到很大影响。