在这两个区域中，mos管处于导通状态，但差异在线性区域，沟道是连续的，漏极电流与沟道电阻成正比。像 BJT 或mos管 之类的半导体器件通常作为开关操作，即它们要么处于 ON 状态，要么处于 OFF 状态。
第一个问题，MOS管作开关电路有三种情况，分别是控制低电平导通，控制高电平导通和控制负电平导通。单片机的GPIO口是可以直接驱动三极管，对于很多MOS管却不能直接驱动，需要通过三极管或者光耦来转化一下，因为单片机的常用工作电压一般为5V或者3.3V，不会超过5V，对于功率较大的MOS管，导通电压可能超过5V，这就无法满足导通条件，必须要用三极管来转换，如下图所示:上图中，单片机输出高电平时，三极管导通，集电极是低电平那么MOS管截止;
N沟道MOSFET的工作原理是什么？平面MOSFET的结构和操作对于如下所示的平面MOSFET：1. 在漏极与源极之间施加正极性电压（漏极-源极电压：VDS）2. 在栅极与源极之间施加正极性电压（栅极-源极电压：VGS）3.
还有需要注意的一个点，不管哪个MOS管，它的内部都是有寄生电容的，这个制造工艺造成的，无法避免，所以选型时要考虑寄生电容越小越好，因为寄生电容越大，MOS管导通时要的能量就越大，一旦芯片IO输出能力跟不上，那么MOS管导通的速度会受到很大影响。
