在控制电路中采用H型电桥控制电机可以满足这一需求。深圳市虹美功率半导体有限公司推出的HM607K，HM607K采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的超低漏源导通电阻RDS，是设计H型电桥电机控制电路的理想选择。
[2]与 TPH4R008NH进行比较，TPH2R408QM 的漏源导通电阻 x 总栅极电荷改善约为 15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为 10%、漏源导通电阻 x 输出电荷改善约为 31%。
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。
上篇我们聊了聊SiC相比于 Si 来说的主要特点，今天我们来聊聊 SiC MOSFTE 的导通电阻 Ron~1980 年前后，巴利加发明了绝缘栅双极型晶体管 IGBT，前面我们也是很多篇幅都是在聊 IGBT，其结合了 BJT 和MOSFET的优势，从而带来了逆变电路的革新。
