众所周知,光刻技术是现代半导体制造的核心,直接决定了芯片的性能、尺寸和成本。不过,近日,国内外媒体及网络接连曝出佳能通过纳米压印光刻以及中国通过激光驱动等离子体技术挑战ASML的新闻,并在业内再次引发了光刻机之争。
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文 | 孙永杰日前,工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称“目录”)中显示,中国已攻克氟化氩光刻机,其中该目录中,公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm指标引发了业内的关注。