【上海微电子“投影物镜光学系统及光刻机”专利公开】财联社11月28日电，上海微电子装备（集团）股份有限公司今日公开了其最新的光刻机相关专利。据天眼查显示，上海微电子公开的专利名为“投影物镜光学系统及光刻机”。
12月6日消息，台湾《经济日报》和联合新闻网近日同时发布报道称，11月26日在青岛正式投产的富士康集团首座晶圆级封测厂，引进多达46台上海微电子生产的28nm光刻机，并同时称这意味着大陆生产的光刻机实现从90nm到28nm的跨越。根据上海微电子官网资料显示，其主要生产 SSX600 和 SSX500 两个系列的光刻机。
近日，根据上海微电子装备集团发布的最新消息，该集团已正式推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。据悉，新品光刻机主要应用于高密度异构集成领域，具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光视场等特点，可帮助晶圆级先进封装企业实现多芯片高密度互连封装技术的应用，满足异构集成超大芯片封装尺寸的应用需求。
前几天，我们国家工信部才刚刚官宣了我国自主知识产权的国产氟化氩光刻机，这不，紧随其后，我国国家知识产权局，紧接着就又曝光了我国一项与EUV光刻机直接相关的重要发明专利——“极紫外辐射发生装置及光刻设备”发明专利。
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，所以光源就相当于雕刻刀，所以就需要建立完善的曝光光学系统，ASML的EUV光刻机，使用波长短的极紫外光，光学系统极复杂，目前长春光机所已经取得了初步突破。
开源证券近日发布机械设备行业周报：科技自立打头阵，重视光刻机产业链国产化机遇。 以下为研究报告摘要： 光刻机：推动芯片晶体管尺寸微细化发展的核心设备光刻是芯片制造流程中极为重要、难度极高的关键步骤。光刻的过程就是光透过掩膜版成像在晶圆表面的光刻胶上，一片晶圆可曝光多达百个单元。
文 | 孙永杰日前，工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》（以下简称“目录”）中显示，中国已攻克氟化氩光刻机，其中该目录中，公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm指标引发了业内的关注。
我国高精尖企业华卓精科在2021年9月发布的公告中就提到:“公司 DWS 系列光刻机双工件台可实现优于 4.5nm 的运动平均偏差，已于 2020 年 4 月和 2021 年 1 月、4 月、6 月分别 向上海微电子发货 1 台 DWS 双工件台，累计发货 4 台 DWS 双工件台;
近年来，由于美国不断加码的“封锁”行为，国内半导体设备自主化程度受到持续关注。2月15日，中国半导体行业协会就美日荷限制向华出口先进芯片制造设备发布严正声明，反对这一破坏产业生态的行为，并号召产业界坚定信心、积极应变。
中国科技再增一抹亮色！据天眼查今天早上的数据，上海微电子新增两项专利信息：投影物镜光学系统及光刻机和位置测量装置、位置测量方法以及光刻设备。最近不到一个月时间，上海微电子新增光刻机相关专利高达13项。今天早盘，芯片板块集体拉升，并带动科创50、中证1000走强。
