【三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试】财联社8月7日电，知情人士称，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。
受中国的消费补贴刺激政策的推动以及存储芯片市场需求回暖等因素影响，三星电子和SK海力士去年在华销售额实现大幅增长。其中，三星电子3月12日公布的业务报告显示，该公司2024年对华出口的产品总价值达到了64.9275万亿韩元（约合人民币3226.9亿元），比上一年的42.
来源：环球网 【环球网科技综合报道】5月27日消息，近日，有外媒报道称三星电子最新研发的高带宽内存（HBM）芯片因发热和功耗问题，在英伟达（Nvidia）的严格测试中未能达标。然而，三星电子发布声明，对相关报道予以否认，并强调公司正与多家全球合作伙伴顺利进行HBM芯片的测试过程。
来源：环球网 【环球网科技综合报道】近日，针对英伟达（NVDA.US）测试其高带宽存储芯片（HBM）的媒体报道，三星电子（SSNLF.US）再次发表官方回应，澄清相关传闻。三星方面表示，测试工作正在“按计划”顺利进行，并与各客户保持密切合作，以优化产品性能。
参考消息网5月21日报道据韩联社5月21日报道，三星电子有限公司周二出人意料地更换了其半导体业务负责人，这标志着该公司正在进行内部改革，以重新夺回其在高带宽存储器市场的领导地位。三星公司是全球最大存储芯片制造商。
