美国以为限制ASML出售EUV光刻机就能阻碍中国芯片的发展，然而近日中国已有研发机构宣布研发成功新的芯片技术，可以绕开EUV光刻机，也能倍增芯片性能，如此ASML的EUV光刻机已不再是中国芯片前进的阻碍。
最近，加拿大半导体和微电子行业分析机构TechInsights，就又发现了一个中国企业的巨大成就:中国长江存储在市场上率先推出了首款200层以上的3D NAND闪存芯片，成功反超韩国三星电子、SK海力士以及美国镁光等主要竞争对手，在技术上成为这个半导体细分领域的全球领导者。
在芯片行业，绕过光刻机正在成为一股全球暗潮，目前成果正在显露。绕过光刻机，美光已经突破。美国内存芯片制造商美光科技公司日前宣布，采用1β制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。
直到 1980 年，东芝发明了闪存 ，此后 90 年代，先后出现了 USB、SD 卡等多种 Flash 应用。公司可提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决 方案，此外通过自研 DRAM 及外购 SK 海力士的 NAND，也可提供 MCP 产品。
电子发烧友网报道根据 IC Insights 统计，2020年全球存储芯片市场规模达 1，267 亿美元，其中DRAM和NAND Flash市场规模较大，占比分别为53%和44%，NOR Flash 市场规模25亿美元，占比为2%，当然，我们国产存储芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。
在长存、长鑫等中国存储芯片企业的努力下，终于修好了三星、海力士、美光们的电闸。为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。
