近日，俄罗斯首台国产光刻机制造完成并正在进行测试，据俄工业和贸易部副部长表示，该设备可生产350纳米工艺的芯片，俄罗斯接下来的目标是在 2026 年制造可以生产 130纳米芯片的光刻机。不得不说俄罗斯的研发速度还是很快的，在俄乌冲突爆发以来，美欧对俄罗斯实施了多达1.
至于文章内容，前一半分析了目前EUV光刻机供需格局，核心信息在中国读者看来都算是大路货，后一半则是梳理了俄罗斯研究人员在EUV光源和反射镜上的积累，作者据此认为，俄罗斯可以直接跳过浸没式DUV光刻机，一步到位攻关EUV光刻机:“与中国不同的是，我们拥有成为世界第二大超现代极紫外线光刻机制造商所需的一切”。
西方媒体以“中俄科技同盟破裂”“东方阵营内讧”等标题大肆炒作，但深入分析协议内容与全球半导体产业格局，这场所谓“去中国化”的科技合作更像是一场技术困兽的求生表演，而中国在全球产业链中的核心地位愈发凸显。
钛媒体App 5月26日消息，据当地消息，日前举行的“工业俄罗斯数字产业”会议上，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·施帕克表示，俄罗斯自己研发的首台光刻机已经制造完成并正在进行测试，该设备可确保生产350nm制程工艺芯片，可应用于汽车、能源和电信等行业当中。
光刻机是半导体行业的明珠，美国希望在这个领域牢牢掌握主动权，因此对中俄等均进行严格的限制和制裁，中国一直没有最先进的EUV光刻机，最近格科微引进的先进ArF光刻机也只是DUV的一种，详见:《美国制裁之下，为什么格科微还能成功引入ASML先进ArF光刻机?》。
上一篇文章，我们说了，佳能在开发3D光刻机，可以说在叠加芯片方向上，又走出了坚实的一步。只能说ASML在EUV光刻机方面，垄断能力太强了，其他人很难追赶得上，所以只能另辟蹊径，例如通过3D光刻机制造横向纵向叠加的芯片，以此来达到更好的性能。
