来源：【人民网】人民网六安8月27日电（记者高飞跃）8月26日，安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会在六安市金安区举行。会上发布了十多款氮化镓激光芯片产品，其关键性能指标已达到国外同类产品的先进水平。发布会现场。
从硅、锗，到砷化镓、磷化铟，再到碳化硅、氮化镓，材料始终是推动产业进步的核心要素。如今，以氧化镓、金刚石、氮化铝为代表的新一代半导体材料也开始崭露头角，各大企业加紧布局，单晶生长、外延薄膜等技术突破的消息频频涌现，产线建设和产能释放提上日程。
德国芯片巨头英飞凌9月12日向第一财经记者表示，该公司已经成功开发出300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌预测，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。这是氮化镓半导体技术的最新突破。
近年来，氮化镓作为“第三代半导体”代表性材料需求崛起，行业规模快速增长，发展潜力巨大。与此同时，全球氮化镓市场的竞争也日益激烈，海外巨头通过并购手段，快速入局；国内企业也积极完善产业链，参与到市场竞争中来。
来源：【厦门日报】2024年度中国第三代半导体技术十大进展近日发布，其中三项成果有厦门企业、高校的身影，彰显厦门发展第三代半导体产业的质量和成色。这些技术进展，是在苏州举行的“第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛”上揭晓的。
武汉鑫威源电子科技有限公司氮化镓属于第三代半导体，由它生产出的激光芯片，相比于传统半导体激光器，具有光谱范围广、稳定性好等优势。但由于氮化镓激光技术的高壁垒，长期以来一直被国外少数企业所控制，导致国内企业长期依赖进口。
