最近英特尔正在生产 10nm 制程芯片，而台积电和三星正在布局 5nm，本文将对三方制程工艺节点等方面进行探索。本文翻译自 Joel Hruska 的《How Are Process Nodes Defined?
制作Well和反型层:也就是通常说的阱，well是通过离子植入的方式进入到衬底上的，如果要制作NMOS，需要植入P型well，如果制作PMOS，需要植入N型well，为了方便大家了解，我们拿NMOS来做例子。
