财联社3月19日讯（编辑 周子意）韩国半导体巨头SK海力士周三（3月19日）宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。
9月4日，SK海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）针对公司布局，表示8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品，预计本月底将开始量产12层HBM3E，HBM4也将携台积电生产，预期将达到无与伦比的地位。
SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)今日表示，预计本月底将开始量产12层HBM3E，并将与台积电合作生产HBM4。SK海力士一直是英伟达主要的HBM产品供应商。但此前另有消息称三星电子已将通过英伟达HBM3e认证，并有望在下季度或第四季度开始供货。
财联社资讯获悉，近日，全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示，已决定投资约9.4万亿韩元(约合493.4亿人民币)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。按照计划，SK海力士将于明年3月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于2027年5月竣工。
腾讯科技讯1月30日消息，据韩联社援引相关媒体报道称，去年创业绩新高的SK海力士将于1月30日至2月1日向管理岗员工发放高达基本工资17倍的绩效奖金。因工会前日开会否决了与资方进行集体谈判达成的包括发放17个月基本工资在内的涨薪协议草案，生产岗年终奖发放时间被推迟。
据韩国媒体亚洲经济报道，SK海力士透过子公司SK Hynix SYSTEM IC向无锡晶圆代工事业出资1,000万美元，资金用途视厂房兴建计划而定，无锡新工厂计划于2019年下半年竣工，从2020年开始正式启动。
