【SK海力士展示全球首款321层NAND芯片】《科创板日报》9日讯，在2023美国闪存峰会上，SK海力士展示了全球首款321层NAND芯片，计划从2025年上半年开始大规模生产。据悉，SK海力士是全球第一家公布超过300层NAND芯片开发进展的芯片厂商。
当地时间8月8日，SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上，公布了321层1Tb TLC（Triple Level Cell） 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。
11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品。
12月18日消息，据报道，SK海力士开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘——PS1012 U.2。据悉，新款硬盘是一款2.5寸大小的SSD，具有61TB大容量，主要用于服务器、高性能工作站。采用了最新的第五代PCIe，与基于第四代的产品相比其带宽增大了一倍。
【三星、SK海力士减少NAND产量以应对供应过剩问题】《科创板日报》11日讯，三星电子和SK海力士已开始减少NAND闪存产量。据业内人士透露，为了应对供应过剩的问题，三星电子和SK海力士从去年年底开始将旧的NAND闪存工艺生产线转换为新工艺。
随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关第十代NAND闪存技术的消息扑面而来，第十代NAND闪存的技术之争正在拉开帷幕。
例如，在今年10月，三星展示了其在CXL技术方面的进展，CXL是一种旨在提高CPU、GPU和内存之间数据传输效率和速度的技术，有望在下一代AI和计算工作负载中发挥关键作用，其计划在2024年底前量产符合CXL 2.0协议的256GB CMM-D，且同联想一道完成了业界首个 128GB CMM-D CXL 内存模块联合验证。
AI服务器需求量到底有多大？关于这一问题的答案，近期业内缺少共识。“我之前说过，预计到2030年，数据中心建设投入的金额将达1万亿美元，现在我确信我们会很快实现这一目标。”英伟达CEO黄仁勋近日在GTC大会上表达对算力需求的信心。
