其中 InP 衬底主要用于直接调制 DFB/电吸收 EML 芯片、探测器 PIN/APD 芯片、放大器芯片、调制器芯片等;2023 年国内运营商 400G 骨干网 OTN 的商用进程加速,薄膜铌酸锂调制器迎 来产品导入良机。
集成电路是我国实现科技兴国,发展尖端领域的重要组成部分。国家政策的影响和国内自研芯片的迫切需求,我国集成电路进入了一个高速发展的“快车道”,各个行业的资本纷纷涉足,许多新的芯片公司接连成立,oppo,小米等龙头企业紧跟华为脚步,也开始走自研芯片的道路。
光芯片主要用于完成光电信号的转换,它的作用是将接收到的光信号转化为电信号,然后再将经过处理后的电信号转化成为光信号输出。在光模块的成本结构中,光芯片的价值含量最高,占物料成本的30%-50%左右,一些高速率光芯片甚至能占到60%。因此,高端光芯片的重要性毋庸置疑。