集微网消息，据外媒AnandTech消息，台积电在2023欧洲技术研讨会活动中，展示了下一代半导体架构的路线图，其中最先进的场效应晶体管架构为CFET，官方表示该技术已经在实验室中进行研究，取得了一些进展，但距离规模应用还有较长一段时间。
近日，2022年度复旦大学“十大科技进展”评选活动结果揭晓。复旦大学“十大科技进展”评选活动由科学技术研究院组织，旨在凝心聚力建设“第一个复旦”，深入推进科技评价改革，表彰激励科研团队原始创新精神，宣传展示学校科技工作突破，推动营造良好科技创新氛围。
芯片制造领域，复旦大学给我们带来一个好消息，晶体管技术取得重大突破，可以绕开EUV光刻机。目前，市面上已经量产的最高工艺制程的芯片是4nm，未来1-2年，有望实现3nm，然而这些都是依靠荷兰ASML的EUV光刻机实现在，这对于我们来说是一种遗憾，因为美国的围追堵截，中芯国际直到今天都没能拿到早早订购的EUV光刻机，而复旦大学研发出异质三维叠层互补晶体管技术，也叫CFET技术，可以成功绕开EUV光刻机，这是一个非常好的消息。
在半导体芯片领域，美国的实力是毋庸置疑的，在老美多次修改芯片规则以后，就让高通、英特尔、AMD等美企都做出了断供的决定，甚至就连芯片生产领域的巨头台积电也停止了和中企华为的合作，这也让我们开始在半导体芯片领域被人卡脖子发展;
美国以为限制ASML出售EUV光刻机就能阻碍中国芯片的发展，然而近日中国已有研发机构宣布研发成功新的芯片技术，可以绕开EUV光刻机，也能倍增芯片性能，如此ASML的EUV光刻机已不再是中国芯片前进的阻碍。
