近日，中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员团队和上海理工大学顾敏院士等科研人员，利用国际首创的双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技术，在信息写入和读出均突破了衍射极限的限制，提出了绿色、长寿命的大数据存储解决方案，研究成果于2月22日发表在《自然》上。
随着数字经济的发展，数据储存也是激活数据要素的核心动能。根据研究机构IDC预测，从2018年到2025年，全球数据量将从33ZB增至175ZB,其中，我国的数据量将从7.6ZB增至48.6ZB，跃居为全球第一。
中国青年报客户端讯（中青报·中青网记者王烨捷）近日，上海理工大学顾敏院士团队和中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员团队利用光存储技术提出了绿色、长寿命、大数据存储解决方案，研究成果以“Pb容量三维纳米光子存储”为题，发表在《自然》（Nature）正刊上。
中国工程院外籍院士、上海理工大学光子芯片研究院院长顾敏与中国科学院上海光学精密机械研究所研究员阮昊、上海理工大学光电信息与计算机工程学院教授文静等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技术，在信息写入和读出两方面均突破衍射极限的限制，研发出全球首个Pb级超大容量、超分辨纳米级三维光盘存储器，对我国在信息存储领域突破关键核心技术具有重大意义。
每经记者：杨建 每经编辑：彭水萍（一）重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨，纳指涨460.75点，涨幅2.96%，逼近历史高位，为2021年11月以来收盘新高，道指涨1.18%，标普500指数涨2.11%，均创历史新高。
AI人工智能正推动存储器产业强劲发展，AI应用带来了海量数据增长，存储容量与性能需求大幅提升，NAND Flash技术重要性不断凸显。因此，存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时，也并未忽视NAND Flash的发展。
8月13日消息，在人工智能技术迅猛发展的今天，对高速非易失存储技术的需求日益增长。当前，主流非易失闪存技术的编程速度大多停留在百微秒级，难以满足应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队在二维半导体结构领域取得了重大突破，实现了纳秒级超快存储闪存技术。
